瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回中，作為回電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回中作旁或隔直流用，或?qū)Ψ�(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。

　　按瓷介電容電介質(zhì)又分：1類電介質(zhì)（NP0，C0G），2類電介質(zhì)（X7R，2X1）和3類電介質(zhì)（Y5V，2F4）瓷介電容器。EIA RS-198。

　　高壓瓷片電容就是以陶瓷材料為介質(zhì)的圓板電容器，在“瓷片”電容器中一般DC50v以下叫低壓，DC100V~500V為中高壓，DC1000v~6000v和為高壓，安規(guī)Y電容也是屬于高壓，DC6000v以上為超高壓 。

　　高壓瓷片電容作用具有耐磨直流高壓的特點(diǎn)，適用于高壓旁和耦合電中，其中的低耗損高壓圓片具有較低的介質(zhì)損耗，特別適合在電視接收機(jī)和掃描等電中使用。

　　瓷片電容的識(shí)別方法：電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉（F）表示，其它單位還有：毫法（mF）、微法 （F）/mju:/、納法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（F），1微法=1000納法 （nF），1納法=1000皮法（pF）

　　數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個(gè)數(shù)，它們的單位都是pF。

　　在這種表示法中有一個(gè)特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌�位�?shù)字用“9”表示時(shí)，是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來(lái)表示容量大小。

　　在使用各種電子元器件過(guò)程中，一旦出現(xiàn)損壞，就會(huì)影響到整體的運(yùn)行和性能。而瓷片電容作為諸多電子產(chǎn)品設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵，其好壞決定著設(shè)備的運(yùn)行和壽命。那么究竟該怎樣檢測(cè)瓷片電容的好壞呢？接下來(lái)專家就來(lái)分享一下簡(jiǎn)單的檢測(cè)方法。

　　檢測(cè)10pF以下的小電容因10pF以下的固定電容器容量太小，用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量，只能定性的檢查其是否有漏電，內(nèi)部短或擊穿現(xiàn)象。測(cè)量時(shí)，可選用萬(wàn)用表R×10k擋，用兩表筆分別任意接電容的兩個(gè)引腳，阻值應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)出阻值（指針向右擺動(dòng)）為零，則說(shuō)明電容漏電損壞或內(nèi)部擊穿。

　　檢測(cè)10PF～0 01F固定電容器是否有充電現(xiàn)象，進(jìn)而判斷其好壞。萬(wàn)用表選用R×1k擋。兩只三極管的值均為100以上，且穿透電流要小。可選用3DG6等型號(hào)硅三極管組成復(fù)合管。萬(wàn)用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相接。由于復(fù)合三極管的放大作用，金莎與林俊杰把被測(cè)電容的充放電過(guò)程予以放大，使萬(wàn)用表指針擺幅度加大，從而便于觀察。應(yīng)注意的是：在測(cè)試操作時(shí)，特別是在測(cè)較小容量的電容時(shí)，要反復(fù)調(diào)換被測(cè)電容引腳接觸A、B兩點(diǎn)，才能明顯地看到萬(wàn)用表指針的擺動(dòng)。

　　對(duì)于0 01F以上的固定電容，可用萬(wàn)用表的R×10k擋直接測(cè)試電容器有無(wú)充電過(guò)程以及有無(wú)內(nèi)部短或漏電，并可根據(jù)指針向右擺動(dòng)的幅度大小估計(jì)出電容器的容量。

　　這樣檢測(cè)瓷片電容的好壞大家是否了解了呢？這樣簡(jiǎn)單的檢測(cè)方法就可以及時(shí)檢查出電容是否出現(xiàn)故障或者是損壞，及時(shí)進(jìn)行維修和更換，才能確保產(chǎn)品的生產(chǎn)或者是設(shè)備的運(yùn)行。

　　數(shù)字萬(wàn)用表有帶電容測(cè)試檔位，可以直接測(cè)瓷片電容的容量。不帶這個(gè)檔位就不能測(cè)容量，只能用電阻檔粗略判斷通斷。